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导读：量子点发光二极管(QLED)具有出色的发光效率，色纯度，可靠性，并且可通过具有成本效益的制造方式实现规模化生产，因此是大面板显示器的理想选择。目前，红光，绿光和蓝光QD-LED的效率分别达到了20.5%、21.0%和19.8%，但是这之中的量子点大多含有有毒的镉成分。而基于磷化铟(InP)的材料和器件的性能仍然远远落后于含镉的同类材料和器件。因此，改善器件的操作稳定性并避免使用有毒的镉成分，成为了QLED商用的关键问题。

新型高效稳定和环保的量子点LED

量子点发光二极管(QLED)具有出色的发光效率，色纯度，可靠性，并且可通过具有成本效益的制造方式实现规模化生产，因此是大面板显示器的理想选择。目前，红光，绿光和蓝光QD-LED的效率分别达到了20.5%、21.0%和19.8%，但是这之中的量子点大多含有有毒的镉成分。而基于磷化铟(InP)的材料和器件的性能仍然远远落后于含镉的同类材料和器件。因此，改善器件的操作稳定性并避免使用有毒的镉成分，成为了QLED商用的关键问题。

1. 生长过程

研究人员在初始ZnSe壳的生长过程中添加氢氟酸，以蚀刻掉氧化InP核表面，然后在340℃下实现高温ZnSe的生长。工程化的壳层厚度可抑制能量转移和俄歇复合，以保持高发光效率，并且初始表面配体被较短的配体取代，以实现更好的电荷注入。

2. 优异发光性能

经过优化的InP/ZnSe/ZnS QD-LED的最大外部量子效率为21.4%，最大亮度为100,000cd m-2，在100 cdm-2的条件下使用寿命长达一百万小时，该性能可与最新的含镉QD-LED媲美。

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